| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.1A, 5.2A |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 6.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1055pF @ 20V |
| Potencia - Max | 900mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SOIC |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
