| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 65V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 5V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | +6V, -4V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 32.5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Die |
| Paquete / Estuche | Die |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
