| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Característica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Potencia - Max | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 9-VFBGA |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
