| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A, 2.4A |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 731pF @ 20V |
| Potencia - Max | 1.6W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-SO |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
