| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta) |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
| Potencia - Max | 6W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-PowerTDFN |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
