| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Obsolete |
|---|---|
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tj) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 20V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (máx.) | +25V, -5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 313mW (Tj) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Die |
| Paquete / Estuche | Die |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
