Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 193A (Tc) |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
Potencia - Max | 925W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Estuche | Module |
Paquete de dispositivos del proveedor | Module |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |