Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
Potencia - Max | 500mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete de dispositivos del proveedor | PG-TSOP-6-6 |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |