| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 42A |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
| Potencia - Max | 416W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / Estuche | SP4 |
| Paquete de dispositivos del proveedor | SP4 |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
