Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
---|---|
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta), 105A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 7V, 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4870pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 2.1W (Ta), 333W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivos del proveedor | TO-262 |
Paquete / Estuche | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Estado de rohs | RoHS |
---|---|
Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |