| Tipo | Descripción |
| Estado de la pieza | Active |
|---|---|
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica FET | Standard |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 52nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V |
| Potencia - Max | 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Paquete de dispositivos del proveedor | 8-DFN (5x6) |
| Estado de rohs | RoHS |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
| Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
| Categoría de stock | Stock disponible |
