Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A, 31A |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 12.5V |
Potencia - Max | 2W, 2.2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8-DFN-EP (5x6) |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |