Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Active |
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Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1720pF @ 15V |
Potencia - Max | 4.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8-DFN-EP (5.2x5.55) |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |