Tipo | Descripción |
Estado de la pieza | Obsolete |
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Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Ta), 32A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 15V |
Característica FET | Schottky Diode (Body) |
Disipación de energía (máx.) | 4.1W (Ta), 41W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivos del proveedor | 8-DFN (5x6) |
Paquete / Estuche | 8-VDFN Exposed Pad |
Estado de rohs | RoHS |
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Nivel de sensibilidad de la humedad (MSL) | No aplica |
Estado del ciclo de vida | Obsoleto / final de la vida |
Categoría de stock | Stock disponible |