Diodos - Rectificadores - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

1N4947GPHE3/73

parte del stock: 1197

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GPHE3/73

parte del stock: 1148

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GPHE3/73

parte del stock: 1165

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/73

parte del stock: 1209

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5400-E3/51

parte del stock: 1125

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP/54

parte del stock: 5197

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06FP

parte del stock: 1116

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 32ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06S

parte del stock: 1053

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 32ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045STRR

parte del stock: 1057

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035STRL

parte del stock: 1059

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 18A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 18A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045STRL

parte del stock: 1030

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04STRL

parte del stock: 1014

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12FP

parte del stock: 1109

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 310ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12S

parte del stock: 1028

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 310ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ040

parte del stock: 1059

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 180A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 180A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045

parte del stock: 1090

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 18A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 18A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ060

parte del stock: 1059

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04S

parte del stock: 1037

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 145ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045

parte del stock: 1046

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 760mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819/54

parte del stock: 1075

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5817/54

parte del stock: 982

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP/1

parte del stock: 1000

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003/54

parte del stock: 1034

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GPHE3/54

parte del stock: 912

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GPHE3/54

parte del stock: 915

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624GPHE3/54

parte del stock: 919

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GPHE3/54

parte del stock: 996

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GPHE3/54

parte del stock: 5104

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5623GPHE3/54

parte del stock: 977

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/54

parte del stock: 992

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GPHE3/54

parte del stock: 919

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GPHE3/54

parte del stock: 995

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GPHE3/54

parte del stock: 5128

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GPHE3/54

parte del stock: 954

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/54

parte del stock: 960

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GPHE3/54

parte del stock: 985

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

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