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Diodos - Rectificadores - Sencillo

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BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

parte del stock: 163646

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

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BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

parte del stock: 164701

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 25V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

parte del stock: 120803

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

parte del stock: 32260

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

parte del stock: 152834

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 250mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

parte del stock: 179080

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 250mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

parte del stock: 111335

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 75V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 250mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 6ns,

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BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

parte del stock: 106669

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

parte del stock: 155089

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 250mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

parte del stock: 142318

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

parte del stock: 170231

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 200mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tiempo de recuperación inverso (trr): 5ns,

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BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

parte del stock: 136941

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 70V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 70mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Velocidad: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

parte del stock: 34922

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

parte del stock: 34902

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

parte del stock: 101393

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

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B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

parte del stock: 123083

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

parte del stock: 116833

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

parte del stock: 158520

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 2400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 350mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 3.6V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 5µs,

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BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

parte del stock: 193530

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.25A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 100ns,

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BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

parte del stock: 170950

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 250mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

parte del stock: 122124

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.4A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

De deseos
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

parte del stock: 153002

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 600mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 6ns,

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BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

parte del stock: 121947

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

De deseos
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

parte del stock: 187035

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

parte del stock: 129989

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 2µs,

De deseos
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

parte del stock: 171441

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 30ns,

De deseos
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

parte del stock: 152678

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 200ns,

De deseos
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

parte del stock: 122331

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 250ns,

De deseos
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

parte del stock: 144972

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

parte del stock: 183532

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 4µs,

De deseos
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

parte del stock: 134544

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 600mA (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 6ns,

De deseos
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

parte del stock: 169957

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 30ns,

De deseos
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

parte del stock: 177773

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 300ns,

De deseos
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

parte del stock: 121386

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

De deseos
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

parte del stock: 139081

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 165V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

parte del stock: 181381

Tipo de diodo: Avalanche, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos