Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

SISS40DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

parte del stock: 132140

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

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SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

parte del stock: 153441

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

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SQS462EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

parte del stock: 176128

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

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SI2309CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

parte del stock: 133640

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

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SIR632DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

parte del stock: 46133

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 29A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 7.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SUD50N04-8M8P-4GE3

Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

parte del stock: 180869

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ444EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

parte del stock: 136708

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

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SI3483CDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

parte del stock: 163997

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

parte del stock: 132173

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

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SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

parte del stock: 7742

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 125V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A (Ta), 31A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

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SQJ431AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

parte del stock: 7752

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

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SI4168DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

parte del stock: 139862

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SIS476DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

parte del stock: 139920

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

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SI2312BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

parte del stock: 129611

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

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SIJ478DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

parte del stock: 100614

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQS401ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

parte del stock: 7505

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

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SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

parte del stock: 154242

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

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SIR414DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

parte del stock: 93996

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ4080EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

parte del stock: 136730

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

parte del stock: 83621

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI3430DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

parte del stock: 180804

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

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SQ4435EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

parte del stock: 7729

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

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SQ4410EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

parte del stock: 118930

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ858EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

parte del stock: 7678

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

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SIR820DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

parte del stock: 7711

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

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SQD100N02-3M5L_GE3

Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

parte del stock: 7693

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

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SQJA94EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

parte del stock: 165168

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

De deseos

Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

parte del stock: 180858

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

parte del stock: 7705

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

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SIJ462DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

parte del stock: 115885

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46.5A(Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

parte del stock: 101267

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

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SQ4153EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

parte del stock: 7793

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

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SI4630DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

parte del stock: 99320

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos

SIRA58ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

parte del stock: 7640

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

De deseos

SI7686DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

parte del stock: 96713

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

De deseos

SQJ464EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

parte del stock: 5838

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

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