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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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SI4486EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4486EY-T1-GE3

parte del stock: 1024

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 10V,

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SUP40N10-30-GE3
Vishay Siliconix

SUP40N10-30-GE3

parte del stock: 1103

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

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SIE800DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE800DF-T1-GE3

parte del stock: 1135

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

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SI7186DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7186DP-T1-E3

parte del stock: 1034

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3493DV-T1-GE3

parte del stock: 1034

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

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SI5461EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5461EDC-T1-GE3

parte del stock: 1072

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

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SI3483DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3483DV-T1-GE3

parte del stock: 1052

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.2A, 10V,

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SI5449DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-E3

parte del stock: 1089

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

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SI5449DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-GE3

parte del stock: 1085

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

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SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA406DJ-T1-GE3

parte del stock: 163663

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.8 mOhm @ 10.8A, 4.5V,

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SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3456CDV-T1-E3

parte del stock: 1028

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

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SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS414DN-T1-GE3

parte del stock: 128723

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 4.5V,

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SI5402BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-GE3

parte del stock: 1007

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

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SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE836DF-T1-GE3

parte del stock: 1015

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.1A, 10V,

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SUP85N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUP85N04-03-E3

parte del stock: 1118

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 85A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

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SI1405BDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-GE3

parte del stock: 6167

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1400DL-T1-GE3

parte del stock: 171269

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

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SI4322DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4322DY-T1-GE3

parte del stock: 1024

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

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IRF730ASTRRPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASTRRPBF

parte del stock: 1048

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

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IRFR9020PBF
Vishay Siliconix

IRFR9020PBF

parte del stock: 42366

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

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SI4409DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-GE3

parte del stock: 6141

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

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SI2343DS-T1
Vishay Siliconix

SI2343DS-T1

parte del stock: 930

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

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SI1402DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-GE3

parte del stock: 999

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

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IRF9630PBF
Vishay Siliconix

IRF9630PBF

parte del stock: 56850

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.9A, 10V,

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SI1406DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-GE3

parte del stock: 941

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

De deseos
SI4448DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-GE3

parte del stock: 1038

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

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SI4438DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4438DY-T1-E3

parte del stock: 1088

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos
SI7196DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7196DP-T1-E3

parte del stock: 1059

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

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SI7404DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7404DN-T1-GE3

parte del stock: 1114

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.3A, 10V,

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SI4190DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4190DY-T1-GE3

parte del stock: 1020

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

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SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-GE3

parte del stock: 83639

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

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SI6413DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6413DQ-T1-E3

parte del stock: 1051

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

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SI5913DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5913DC-T1-E3

parte del stock: 184019

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3.7A, 10V,

De deseos
SI5440DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5440DC-T1-GE3

parte del stock: 183838

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9.1A, 10V,

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SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3812DV-T1-GE3

parte del stock: 1030

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

De deseos
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix

SUD50N03-09P-GE3

parte del stock: 98662

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 63A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

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