Memoria | Circuitos integrados (CI) | 3

TC58NYG2S0HBAI4

parte del stock: 1439

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

parte del stock: 1919

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz,

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Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

parte del stock: 8902

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI4

parte del stock: 1435

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI4

parte del stock: 1393

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG2S0HTAI0

parte del stock: 16444

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NVG2S0HTA00

parte del stock: 566

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BYG2S0HBAI6

parte del stock: 17237

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TH58NVG2S3HTA00

parte del stock: 14392

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG2S0HBAI4

parte del stock: 1415

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NVG2S0HBAI6

parte del stock: 17248

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58CVG2S0HRAIG

parte del stock: 7253

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz,

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TC58BYG1S3HBAI4

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Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58CYG0S3HRAIG

parte del stock: 3118

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz,

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TC58NVG2S0HBAI4

parte del stock: 8884

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TH58BVG2S3HTA00

parte del stock: 14305

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG2S0HTA00

parte del stock: 17220

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TH58NVG2S3HTAI0

parte del stock: 7000

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TH58BYG2S3HBAI6

parte del stock: 14306

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TH58BVG2S3HTAI0

parte del stock: 14321

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NYG2S0HBAI6

parte del stock: 17235

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 4Gb (512M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NVG1S3HTA00

parte del stock: 1523

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BYG0S3HBAI4

parte del stock: 1411

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI4

parte del stock: 24524

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG1S3HTA00

parte del stock: 669

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NVG1S3HTAI0

parte del stock: 577

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BYG1S3HBAI6

parte del stock: 25500

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI6

parte del stock: 25447

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI6

parte del stock: 2239

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI6

parte del stock: 25501

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG1S3HTAI0

parte del stock: 24548

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 2Gb (256M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58CVG0S3HRAIG

parte del stock: 1485

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Frecuencia de reloj: 104MHz,

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TC58NVG0S3HTAI0

parte del stock: 2401

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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TC58BVG0S3HBAI6

parte del stock: 33228

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TC58BVG0S3HTAI0

parte del stock: 31571

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TC58BYG0S3HBAI6

parte del stock: 33224

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnología: FLASH - NAND (SLC), Tamaño de la memoria: 1Gb (128M x 8), Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página: 25ns,

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