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Diodos - Rectificadores - Sencillo

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MUR4L20HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20HA0G

parte del stock: 132

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

De deseos
SR206 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR206 R0G

parte del stock: 178

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
ES1FL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1FL RVG

parte del stock: 146

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

De deseos
SS13L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS13L R3G

parte del stock: 126

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS26L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26L RVG

parte del stock: 101

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
SR202 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR202 R0G

parte del stock: 98

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UF5JFC C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF5JFC C0G

parte del stock: 176

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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RSFGLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFGLHR3G

parte del stock: 103

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

De deseos
SS310LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310LHR3G

parte del stock: 102

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RSFDL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDL RUG

parte del stock: 167

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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LL4003G L0
Taiwan Semiconductor Corporation

LL4003G L0

parte del stock: 129

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

De deseos
S1ML RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML RUG

parte del stock: 135

Tipo de diodo: Standard, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.8µs,

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S1MLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MLHM2G

parte del stock: 99

Tipo de diodo: Standard, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.8µs,

De deseos
UG2D B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2D B0G

parte del stock: 174

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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SS310L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310L R3G

parte del stock: 154

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1KLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KLHR3G

parte del stock: 100

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.8µs,

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SS14L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L RFG

parte del stock: 103

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
SS25LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS25LHR3G

parte del stock: 175

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS210LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210LHRUG

parte del stock: 182

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
ES1AL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL RVG

parte del stock: 136

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

De deseos
RSFDLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHR3G

parte del stock: 126

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 500mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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SR203 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR203 R0G

parte del stock: 93

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
RS1BLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BLHR3G

parte del stock: 145

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 800mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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HS1FL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1FL R3G

parte del stock: 108

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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SS15L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L RUG

parte del stock: 186

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
SS36L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L RVG

parte del stock: 91

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
UG54G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG54G B0G

parte del stock: 154

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 20ns,

De deseos
SS16LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHR3G

parte del stock: 93

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
UG2DHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2DHA0G

parte del stock: 116

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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SS19L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19L R3G

parte del stock: 123

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
S1JLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLHRVG

parte del stock: 159

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.8µs,

De deseos
HS1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL R3G

parte del stock: 99

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

De deseos
S1BLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHM2G

parte del stock: 141

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.8µs,

De deseos
RS1BL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL RUG

parte del stock: 119

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 800mA, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

De deseos
SS15L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L RVG

parte del stock: 93

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos
SS115L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115L R3G

parte del stock: 162

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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