Diodos - Rectificadores - Sencillo

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Diodos - Rectificadores - Sencillo

Taiwan Semiconductor Corporation

S3BBHM4G

parte del stock: 118

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3BB M4G

parte del stock: 49

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR360SB M4G

parte del stock: 52

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GA M2G

parte del stock: 127

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2MA M2G

parte del stock: 141

Tipo de diodo: Standard, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1B M2G

parte del stock: 90

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS3A V7G

parte del stock: 49

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S12MC V6G

parte del stock: 79

Tipo de diodo: Standard, Corriente - Rectificado promedio (Io): 12A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2JAHR3G

parte del stock: 81

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS315 V7G

parte del stock: 109

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK515BHM4G

parte del stock: 48

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK33A R3G

parte del stock: 126

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19HM2G

parte del stock: 114

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24 R5G

parte del stock: 85

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS115HR3G

parte del stock: 56

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340SB M4G

parte del stock: 140

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS3KB M4G

parte del stock: 59

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DHM2G

parte del stock: 47

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1GB R5G

parte del stock: 62

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V7G

parte del stock: 96

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V7G

parte del stock: 127

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL34 V6G

parte del stock: 79

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DAHM2G

parte del stock: 95

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 2A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS13HR3G

parte del stock: 119

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420S V6G

parte del stock: 72

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 4A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2KA M2G

parte del stock: 68

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR320S V6G

parte del stock: 81

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1601G C0G

parte del stock: 128

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2BA M2G

parte del stock: 68

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1DBHM4G

parte del stock: 120

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK54C V6G

parte del stock: 92

Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 40V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2FA M2G

parte del stock: 134

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1.5A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S8KC V6G

parte del stock: 73

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 8A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S5K V6G

parte del stock: 74

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3KB M4G

parte del stock: 100

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 800V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 3A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BHM2G

parte del stock: 129

Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io): 1A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tiempo de recuperación inverso (trr): 150ns,

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