Diodos - Rectificadores - Matrices

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Diodos - Rectificadores - Matrices

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150PT C0G

parte del stock: 151

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1060CTHC0G

parte del stock: 71

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2050CTHMNG

parte del stock: 153

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRI30100CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRI30100CT C0G

parte del stock: 92

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS30H45CT MNG

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS30H45CT MNG

parte del stock: 142

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1045CT C0G

parte del stock: 138

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3045CT C0G

parte del stock: 121

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1045CTHC0G

parte del stock: 149

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CTHC0G

parte del stock: 93

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2080CTHC0G

parte del stock: 152

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 80V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG1005G C0G

parte del stock: 65

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150PTHC0G

parte del stock: 151

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF10H200CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10H200CT C0G

parte del stock: 88

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF30L45CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L45CTHC0G

parte del stock: 161

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1090CT C0G

parte del stock: 103

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10100HC0G

parte del stock: 143

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100 C0G

parte del stock: 108

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1650HC0G

parte del stock: 97

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CT MNG

parte del stock: 159

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 15A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2050HMNG

parte del stock: 175

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR30H100CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30H100CT C0G

parte del stock: 97

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 30A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050HC0G

parte del stock: 155

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER1006G C0G

parte del stock: 76

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 600V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR3090PTHC0G

parte del stock: 111

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 30A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 15A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1640CTHC0G

parte del stock: 122

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100 C0G

parte del stock: 176

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003HC0G

parte del stock: 120

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PT C0G

parte del stock: 90

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1050 MNG

parte del stock: 154

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100HC0G

parte del stock: 80

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER1604PT C0G

parte del stock: 84

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 300V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CTHC0G

parte del stock: 128

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 20A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1090CTHC0G

parte del stock: 129

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090 MNG

parte del stock: 134

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 10A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 5A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690HC0G

parte del stock: 156

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 90V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 16A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CTHMNG

parte del stock: 117

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 40A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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