Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 1.53 Ohm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 400 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 1 Ohm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 740 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 600 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 1 Ohm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 740 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 260 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 600 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: On/Off, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 1.53 Ohm,