Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 32

BUK624R5-30C,118

parte del stock: 133421

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9GTHP-55PJTR,51

parte del stock: 9432

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9675-55A,118

parte del stock: 172980

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9629-100B,118

parte del stock: 116132

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7528-55A,127

parte del stock: 9316

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7526-100B,127

parte del stock: 9295

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 49A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7107-55AIE,118

parte del stock: 9097

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK952R8-30B,127

parte del stock: 9125

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9520-100A,127

parte del stock: 9067

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 63A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK6E3R4-40C,127

parte del stock: 120855

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK6E3R2-55C,127

parte del stock: 32051

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK625R0-40C,118

parte del stock: 133435

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7207-30B,118

parte del stock: 166786

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK6212-40C,118

parte del stock: 100786

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 12A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK964R4-40B,118

parte del stock: 76392

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9620-100B,118

parte del stock: 103640

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 63A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSH111,215

parte del stock: 8827

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 335mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BSH111,235

parte del stock: 8860

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 335mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9504-40A,127

parte del stock: 8826

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.3V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7907-55AIE,127

parte del stock: 22756

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7908-40AIE,127

parte del stock: 27809

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7515-100A,127

parte del stock: 33637

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSN20,215

parte del stock: 8842

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 173mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSN20,235

parte del stock: 8816

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 173mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9518-55A,127

parte del stock: 8881

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 61A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK953R2-40B,127

parte del stock: 5886

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSH121,135

parte del stock: 166507

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7105-40AIE,118

parte del stock: 8799

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7109-75ATE,118

parte del stock: 8816

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7109-75AIE,118

parte del stock: 8824

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7E2R3-40C,127

parte del stock: 64984

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7528-100A,127

parte del stock: 8820

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7509-75A,127

parte del stock: 8863

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK7E04-40A,127

parte del stock: 33912

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9607-30B,118

parte del stock: 159808

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BUK9E06-55A,127

parte del stock: 33936

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V,

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