Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 100 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 100 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 100 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 100 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge (2), Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 150 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 100 mOhm,
Configuración de salida: Half Bridge, Aplicaciones: General Purpose, Interfaz: PWM, Tipo de carga: Inductive, Tecnología: Power MOSFET, Rds activado (tipo): 100 mOhm,