Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.2V ~ 5.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 15V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, SiC MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.4V, 1.6V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.2V ~ 5.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.6V ~ 5.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1.8V, 3.9V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 6.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 12.6V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 6.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 12.6V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 6.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.2V ~ 5.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, SiC MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, SiC MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4.25V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 28V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
