Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 1

CPC3902ZTR

parte del stock: 131537

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

parte del stock: 108608

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

parte del stock: 173406

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

parte del stock: 110408

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

parte del stock: 127604

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

parte del stock: 180680

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

parte del stock: 173441

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

parte del stock: 1443

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

parte del stock: 126520

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

parte del stock: 1407

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

parte del stock: 1380

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

parte del stock: 198190

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

parte del stock: 1385

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

parte del stock: 6160

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

parte del stock: 67206

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 415V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): -0.35V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

parte del stock: 335

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 360mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

parte del stock: 103573

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 360mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

parte del stock: 127786

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): -0.35V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

parte del stock: 107138

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): -0.35V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

parte del stock: 185051

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 350V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): -0.35V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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