Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 60

IXFR180N06

parte del stock: 3730

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 90A, 10V,

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IXTP340N04T4

parte del stock: 21441

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 340A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V,

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IXTY1R4N120P

parte del stock: 28334

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V,

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IXFN80N60P3

parte del stock: 3208

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 66A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 40A, 10V,

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IXTA60N20T

parte del stock: 19592

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V,

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IXTP110N055T2

parte del stock: 31174

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 110A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFQ24N60X

parte del stock: 15907

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 12A, 10V,

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IXTA1N100

parte del stock: 19408

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 1A, 10V,

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IXTA160N10T

parte del stock: 23679

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFK73N30

parte del stock: 4232

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 73A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFP7N100P

parte del stock: 16931

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

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IXTA4N80P

parte del stock: 53349

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 500mA, 10V,

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IXTN102N65X2

parte del stock: 2808

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 76A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 51A, 10V,

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IXTH24N50

parte del stock: 7900

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

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IXTH130N20T

parte del stock: 12948

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 130A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTP160N04T2

parte del stock: 26008

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

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IXFH52N30P

parte del stock: 14156

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 52A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTA230N04T4

parte del stock: 227

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 230A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 115A, 10V,

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IXFR12N120P

parte del stock: 5468

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V,

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IXTY15P15T

parte del stock: 29624

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 7A, 10V,

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IXFR15N100P

parte del stock: 7821

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V,

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IXFR180N07

parte del stock: 4177

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 70V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTX5N250

parte del stock: 1015

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 2500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

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IXFT50N30Q3

parte del stock: 5462

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 10V,

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IXTQ36N30P

parte del stock: 17783

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V,

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IXTU02N50D

parte del stock: 23700

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 50mA, 0V,

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IXTA130N10T7

parte del stock: 29100

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 130A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFJ20N85X

parte del stock: 7169

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 850V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 10A, 10V,

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IXTA3N150HV

parte del stock: 9595

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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IXTP44N30T

parte del stock: 21301

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 44A (Tc),

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IXTA32N20T

parte del stock: 32272

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 16A, 10V,

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IXFK100N25

parte del stock: 4023

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 50A, 10V,

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IXTP50N20PM

parte del stock: 23696

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFT40N85XHV

parte del stock: 5476

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 850V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFT320N10T2

parte del stock: 5529

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 320A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 100A, 10V,

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IXTT20N50D

parte del stock: 2398

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

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