Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

IXTK22N100L

parte del stock: 2419

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 11A, 20V,

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IXTN21N100

parte del stock: 2150

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFE48N50QD2

parte del stock: 2200

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 41A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V,

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IXFN24N90Q

parte del stock: 2256

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc),

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MMIX1F210N30P3

parte del stock: 2903

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 108A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 105A, 10V,

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IXTT12N140

parte del stock: 1736

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 6A, 10V,

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IXFH26N50P

parte del stock: 10406

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

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IXFL60N60

parte del stock: 2758

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFE55N50

parte del stock: 2858

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXTT1N100

parte del stock: 1583

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 1A, 10V,

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IXTF03N400

parte del stock: 1523

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 4000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 150mA, 10V,

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IXFE50N50

parte del stock: 2928

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 25A, 10V,

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IXFN280N07

parte del stock: 2964

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 70V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 120A, 10V,

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IXFX30N110P

parte del stock: 2774

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

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IXTA02N250

parte del stock: 1465

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 2500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

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IXFH60N50P3

parte del stock: 8679

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFE44N60

parte del stock: 2873

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 41A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

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IXFL39N90

parte del stock: 2704

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19.5A, 10V,

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IXFR30N110P

parte del stock: 2552

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFN180N07

parte del stock: 3099

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 70V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFN100N25

parte del stock: 1451

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTN60N50L2

parte del stock: 1874

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 53A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

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IXFK30N110P

parte del stock: 2668

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

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IXFH40N30Q

parte del stock: 6457

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFL44N60

parte del stock: 2950

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 41A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

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IXFR38N80Q2

parte del stock: 2763

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 19A, 10V,

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IXFK38N80Q2

parte del stock: 2835

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V,

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IXTK21N100

parte del stock: 2617

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXTA02N450HV

parte del stock: 5672

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 4500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 750 Ohm @ 10mA, 10V,

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IXTY55N075T

parte del stock: 1589

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 27.5A, 10V,

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IXFN73N30Q

parte del stock: 2757

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 73A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFT52N30Q

parte del stock: 4750

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 52A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFX38N80Q2

parte del stock: 2871

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V,

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IXFK170N10

parte del stock: 3114

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 170A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V,

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IXFR24N90Q

parte del stock: 3195

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900V,

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IXKG25N80C

parte del stock: 3196

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9A, 10V,

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