Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 1

GWS9294

parte del stock: 2995

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

De deseos

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

parte del stock: 3027

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

De deseos

Renesas Electronics America Inc.

KGF6N05D-400

parte del stock: 2987

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 5.5V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

De deseos

Renesas Electronics America Inc.

KGF16N05D-400

parte del stock: 3372

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 5.5V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

De deseos

Renesas Electronics America Inc.

GWS9293

parte del stock: 3370

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

De deseos