Transistores - FET, MOSFET - Matrices

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Transistores - FET, MOSFET - Matrices

Infineon Technologies

IRF7509TRPBF

parte del stock: 158332

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14AATMA1

parte del stock: 125877

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

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IPG20N04S4L08AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08AATMA1

parte del stock: 137972

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA,

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IPG20N06S415ATMA2

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA2

parte del stock: 113173

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA,

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IPG20N04S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L11ATMA1

parte del stock: 172926

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

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Infineon Technologies

IRF7341GTRPBF

parte del stock: 82222

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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IPG20N04S4L07ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07ATMA1

parte del stock: 104521

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

IRF7314TRPBF

parte del stock: 193267

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7504TRPBF

parte del stock: 176860

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7304TRPBF

parte del stock: 196744

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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IPG20N06S415AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S415AATMA1

parte del stock: 108935

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA,

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Infineon Technologies

IRFH7911TRPBF

parte del stock: 61001

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A, 28A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7530TRPBF

parte del stock: 169065

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9956TRPBF

parte del stock: 162504

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7301TRPBF

parte del stock: 199318

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF3575DTRPBF

parte del stock: 34855

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 303A (Tc),

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Infineon Technologies

IRF7324TRPBF

parte del stock: 97929

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N06S2L35ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L35ATMA1

parte del stock: 145368

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA,

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Infineon Technologies

IRF7103TRPBF

parte del stock: 149977

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L50ATMA1

parte del stock: 152225

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

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Infineon Technologies

IRF7317TRPBF

parte del stock: 158547

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

parte del stock: 112687

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7910TRPBF

parte del stock: 127888

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRL6297SDTRPBF

parte del stock: 142257

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 35µA,

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