Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar

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Transistores - Bipolar (BJT) - Sencillo, Pre-polar

Infineon Technologies

BCR 135F E6327

parte del stock: 2128

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR158E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

parte del stock: 111325

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR562E6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

parte del stock: 174692

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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BCR198E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

parte del stock: 2061

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 519 E6327

parte del stock: 2048

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 198T E6327

parte del stock: 2013

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR166WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

parte del stock: 2057

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 162L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

parte del stock: 2049

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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BCR141WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

parte del stock: 2073

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 119 E6433

parte del stock: 2021

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 129F E6327

parte del stock: 2023

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 133F B6327

parte del stock: 1978

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR108WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

parte del stock: 2069

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 101T E6327

parte del stock: 1992

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 50mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 100 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR505E6778HTSA1

Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

parte del stock: 5409

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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BCR503E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

parte del stock: 1955

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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BCR183E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

parte del stock: 1981

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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BCR192E6785HTSA1

Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

parte del stock: 1986

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR148E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

parte del stock: 2004

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR135E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

parte del stock: 1907

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR133E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

parte del stock: 3211

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 10 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 148W H6433

parte del stock: 1910

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 569 E6327

parte del stock: 1861

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 512 B6327

parte del stock: 1858

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 199T E6327

parte del stock: 1876

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 503 B6327

parte del stock: 1882

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 500mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 199F E6327

parte del stock: 1910

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR 199L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

parte del stock: 1899

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

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BCR198WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

parte del stock: 1924

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 198F E6327

parte del stock: 1931

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR 198L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

parte del stock: 1885

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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BCR196WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

parte del stock: 1922

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR198B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

parte del stock: 1860

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 100mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 47 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 196T E6327

parte del stock: 1855

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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Infineon Technologies

BCR 196F E6327

parte del stock: 1930

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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BCR 196L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

parte del stock: 1883

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Corriente - Colector (Ic) (Max): 70mA, Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base del emisor (R2): 22 kOhms, Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

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