Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

AUIRF540ZSTRL

parte del stock: 62931

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 22A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRL7766M2TR

parte del stock: 63442

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 31A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7736M2TR

parte del stock: 64393

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Ta), 108A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 65A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRL7736M2TR

parte del stock: 64316

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 179A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 67A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF9540N

parte del stock: 64598

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): -100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 11A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF6215

parte del stock: 66605

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ44ZSTRL

parte del stock: 67282

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 51A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFSL8403

parte del stock: 67591

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 123A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 70A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR4620TRL

parte del stock: 71560

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR8405TRL

parte del stock: 72559

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.98 mOhm @ 90A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFU8405

parte del stock: 72519

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.98 mOhm @ 90A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFS3806TRL

parte del stock: 72665

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 43A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ48N

parte del stock: 74090

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 69A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ44Z

parte del stock: 74640

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 51A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7805QTR

parte del stock: 74694

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

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Infineon Technologies

AUIRFR4615TRL

parte del stock: 74654

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ48Z

parte del stock: 75823

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 61A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ24NSTRL

parte del stock: 81059

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFN8401TR

parte del stock: 87938

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 84A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7484QTR

parte del stock: 79612

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 7V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 7V,

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Infineon Technologies

AUIRFN8403TR

parte del stock: 33605

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7734M2TR

parte del stock: 80010

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 43A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7416QTR

parte del stock: 83586

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLZ24NSTRL

parte del stock: 81069

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR6215TRL

parte del stock: 86560

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR8403TRL

parte del stock: 91320

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 76A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFU8403

parte del stock: 91384

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 76A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR48ZTRL

parte del stock: 91395

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFU540Z

parte del stock: 91507

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR540ZTRL

parte del stock: 93233

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRF7478QTR

parte del stock: 94891

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.2A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLR2905TRL

parte del stock: 94911

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFZ34N

parte del stock: 92537

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 29A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 16A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRLZ24NS

parte del stock: 94490

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRFR2905ZTRL

parte del stock: 95517

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V,

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Infineon Technologies

AUIRL7732S2TR

parte del stock: 99492

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 35A, 10V,

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