Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

AON7202_101

parte del stock: 2117

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6970_002

parte del stock: 2179

AON7200_101

parte del stock: 2179

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15.8A (Ta), 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6970_001

parte del stock: 2181

AON6598

parte del stock: 2131

AON6748_101

parte del stock: 2144

AON6508_101

parte del stock: 2112

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 29A (Ta), 32A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON6532P

parte del stock: 6236

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 68A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 20A, 10V,

AON4407L

parte del stock: 2155

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

AOD425_001

parte del stock: 2135

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4144_002

parte del stock: 2147

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4120L

parte del stock: 2134

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4136L

parte del stock: 2178

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

AOD403_DELTA

parte del stock: 2127

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD4102L

parte del stock: 2167

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), 19A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

AOD403_030

parte del stock: 2111

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 70A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD206_030

parte del stock: 2125

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 46A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

AO6411

parte del stock: 2171

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V,

AO7403_001

parte del stock: 2111

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 700mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 700mA, 4.5V,

AO5404E_001

parte del stock: 2169

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO5404EL

parte del stock: 2148

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO4771L

parte del stock: 2144

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V,

AO4710L_101

parte del stock: 6241

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

AO4488L_101

parte del stock: 2124

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

AO4498EL

parte del stock: 2189

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

AO4485_102

parte del stock: 2105

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4404BL_101

parte del stock: 2103

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.5A, 10V,

AO4437L

parte del stock: 2175

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

AO4202_120

parte del stock: 2149

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

AOY516

parte del stock: 6234

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 46A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6516_151

parte del stock: 6224

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V,

AON7548

parte del stock: 6244

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD526

parte del stock: 2176

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOI452A

parte del stock: 2100

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

AOD516_051

parte del stock: 6275

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V,

AOD518_051

parte del stock: 2140

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V,