Diodos - Rectificadores - Matrices

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Diodos - Rectificadores - Matrices

GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTR

parte del stock: 1389

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400150CT

parte del stock: 1554

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60030

parte del stock: 891

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10020CTR

parte del stock: 1535

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12045CT

parte del stock: 1536

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 45V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60080

parte del stock: 897

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 80V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A120

parte del stock: 3151

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 120V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 120A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20035CTR

parte del stock: 1554

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40040

parte del stock: 880

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60030CT

parte del stock: 983

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 30V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A180

parte del stock: 3596

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 180V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 50A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30040R

parte del stock: 935

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 150A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR600200CTR

parte del stock: 956

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 300A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

parte del stock: 1014

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

parte del stock: 3220

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 120A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20005

parte del stock: 1230

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

parte del stock: 1241

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

parte del stock: 1863

Configuración de diodos: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1000V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 150A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

parte del stock: 964

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

parte del stock: 1918

Configuración de diodos: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 1400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

parte del stock: 968

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

parte del stock: 2527

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 160A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

parte del stock: 1367

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 35V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

parte del stock: 1252

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

parte del stock: 1392

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

parte del stock: 1502

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

parte del stock: 1207

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 50V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

parte del stock: 1452

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 150A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

parte del stock: 2843

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

parte del stock: 1329

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 400V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

parte del stock: 1522

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

parte del stock: 3312

Configuración de diodos: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 60V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos

GeneSiC Semiconductor

FST100200

parte del stock: 1661

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 50A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

parte del stock: 1083

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 100V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

De deseos

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

parte del stock: 985

Configuración de diodos: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 200V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 200A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Velocidad: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT200150

parte del stock: 1643

Configuración de diodos: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 150V, Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo): 100A, Voltaje - Adelante (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidad: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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