Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 40

ZVN0545GTC

parte del stock: 6034

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 450V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 140mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120GTC

parte del stock: 9865

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZVN4210GTC

parte del stock: 9792

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 800mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOA

parte del stock: 9897

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 175mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320FTC

parte del stock: 9890

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 35mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM64P02XTC

parte del stock: 9847

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.7V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOA

parte del stock: 9886

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOA

parte del stock: 9873

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOB

parte del stock: 9872

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 450V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 45mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124Z

parte del stock: 9869

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM61P02FTC

parte del stock: 9856

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 900mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.7V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZXM62N03GTA

parte del stock: 198171

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4310ASTZ

parte del stock: 9869

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 900mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOB

parte del stock: 9798

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6TC

parte del stock: 9848

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TC

parte del stock: 9886

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOB

parte del stock: 9876

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM61P03FTC

parte del stock: 6070

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4306ASTZ

parte del stock: 9824

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP10A17GTA

parte del stock: 9879

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8TC

parte del stock: 9898

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVN3320ASTZ

parte del stock: 9864

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN6A07FTC

parte del stock: 9807

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0540ASTZ

parte del stock: 9778

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 90mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3320FTC

parte del stock: 9845

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOB

parte del stock: 9808

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3V, 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4106FTC

parte del stock: 9807

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN1409ASTZ

parte del stock: 9868

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 90V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2120ASTOA

parte del stock: 6009

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

parte del stock: 9863

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVN4306GTC

parte del stock: 6072

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOA

parte del stock: 9803

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOB

parte del stock: 9875

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOB

parte del stock: 9853

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 90V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4210ASTOB

parte del stock: 9809

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL110GTC

parte del stock: 9813

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 600mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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