Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 1536, Número de puertas: 144000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 3072, Número de puertas: 288000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 3072, Número de puertas: 288000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 192,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 8.5ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 192,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 192,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 1536, Número de puertas: 144000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 512,
