Transistores - FET, MOSFET - Matrices

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Transistores - FET, MOSFET - Matrices

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904SAL

parte del stock: 22935

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102APAL

parte del stock: 12288

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110802SCL

parte del stock: 19206

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (Max) @ Id: 220mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1103PBL

parte del stock: 17024

Tipo de FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40mA, 16mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD114813SCL

parte del stock: 18848

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933PAL

parte del stock: 23126

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908PAL

parte del stock: 31426

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900SAL

parte del stock: 21983

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102ASAL

parte del stock: 12301

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702APCL

parte del stock: 13531

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD210804PCL

parte del stock: 24505

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102BSAL

parte del stock: 18978

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702ASCL

parte del stock: 13769

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD210802SCL

parte del stock: 24458

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913SAL

parte del stock: 21986

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1108EPCL

parte del stock: 21736

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704SCL

parte del stock: 17106

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804ASCL

parte del stock: 18441

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808PCL

parte del stock: 26016

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1110ESAL

parte del stock: 20569

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD212914PAL

parte del stock: 25540

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700ASCL

parte del stock: 13763

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913PAL

parte del stock: 27278

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908APAL

parte del stock: 25518

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808ASCL

parte del stock: 18900

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110804SCL

parte del stock: 19158

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 420mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD210814PCL

parte del stock: 24429

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904APAL

parte del stock: 24412

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708APCL

parte del stock: 13520

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110814PCL

parte del stock: 24870

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115SAL

parte del stock: 34315

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800SCL

parte del stock: 28251

Tipo de FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110914PAL

parte del stock: 31443

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702SCL

parte del stock: 17093

Tipo de FET: 4 P-Channel, Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD114935PAL

parte del stock: 27703

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Depletion Mode, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA,

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Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908SAL

parte del stock: 31474

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 10.6V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

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