Transistores - FET, MOSFET - Matrices | Productos semiconductores discretos | 1

CWDM305PD TR13

parte del stock: 166145

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

CTLDM7120-M832DS BK

parte del stock: 3005

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,

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Central Semiconductor Corp

CMLDM8002AG TR

parte del stock: 161314

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

CWDM305ND TR13

parte del stock: 155758

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

CMLDM7003G TR

parte del stock: 145265

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

CMLDM7002AG TR

parte del stock: 187169

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

CTLDM8120-M832DS BK

parte del stock: 3301

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 860mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

CTLDM7120-M832DS TR

parte del stock: 136453

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,

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CMLDM3737 TR

parte del stock: 117843

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMLDM7585 TR

parte del stock: 161601

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 650mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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CMXDM7002A TR

parte del stock: 126593

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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CTLDM8120-M832DS TR

parte del stock: 2989

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 860mA (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMLDM7003T TR

parte del stock: 101341

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CMLDM7003 TR

parte del stock: 147996

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMLDM5757 TR

parte del stock: 161889

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 430mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMLDM7002AJ TR

parte del stock: 188305

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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CTLDM304P-M832DS TR

parte del stock: 191379

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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CMLDM3757 TR

parte del stock: 173409

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMLDM7003TG TR

parte del stock: 182584

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CTLDM303N-M832DS BK

parte del stock: 3045

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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CMLDM8005 TR

parte del stock: 138392

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 650mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMRDM3575 TR

parte del stock: 101846

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 160mA, 140mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CMKDM8005 TR

parte del stock: 164283

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 650mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CTLDM303N-M832DS TR

parte del stock: 191348

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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CMLDM7484 TR

parte del stock: 177095

Tipo de FET: N and P-Channel Complementary, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 450mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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