Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 1.65V ~ 1.95V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 5.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de elementos lógicos / bloques: 4, Número de macrocélulas: 128, Número de puertas: 6000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 256, Número de puertas: 12000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 1.65V ~ 1.95V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 1.7V ~ 1.9V, Número de elementos lógicos / bloques: 16, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 2.3V ~ 2.7V, Número de elementos lógicos / bloques: 32, Número de macrocélulas: 512,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de elementos lógicos / bloques: 12, Número de macrocélulas: 384, Número de puertas: 18000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 32, Número de puertas: 1000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 32, Número de puertas: 1000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 24.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de elementos lógicos / bloques: 48, Número de macrocélulas: 192, Número de puertas: 8000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 5.0ns, Suministro de voltaje: interno: 1.65V ~ 1.95V, Número de elementos lógicos / bloques: 24, Número de macrocélulas: 384,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 5.0ns, Suministro de voltaje: interno: 2.3V ~ 2.7V, Número de elementos lógicos / bloques: 4, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 5.0ns, Suministro de voltaje: interno: 1.65V ~ 1.95V, Número de elementos lógicos / bloques: 4, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 18.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de elementos lógicos / bloques: 48, Número de macrocélulas: 192, Número de puertas: 8000,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.2ns, Suministro de voltaje: interno: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 512, Número de puertas: 48000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 12.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 6.5ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 20.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de elementos lógicos / bloques: 6, Número de macrocélulas: 108, Número de puertas: 2400,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 3V ~ 3.6V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 144, Número de puertas: 3200,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 7.5ns, Suministro de voltaje: interno: 2.37V ~ 2.62V, Número de elementos lógicos / bloques: 16, Número de macrocélulas: 288, Número de puertas: 6400,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de elementos lógicos / bloques: 2, Número de macrocélulas: 36, Número de puertas: 800,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 15.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 144, Número de puertas: 3200,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 5.0ns, Suministro de voltaje: interno: 2.37V ~ 2.62V, Número de elementos lógicos / bloques: 4, Número de macrocélulas: 72, Número de puertas: 1600,
Tipo programable: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.5V ~ 5.5V, Número de elementos lógicos / bloques: 4, Número de macrocélulas: 72, Número de puertas: 1600,
Tipo programable: In System Programmable, Tiempo de retardo tpd (1) Máx.: 10.0ns, Suministro de voltaje: interno: 4.75V ~ 5.25V, Número de elementos lógicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 128, Número de puertas: 2500,
