Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 12V ~ 20V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: 3-Phase, Número de conductores: 6, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 7V ~ 13.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 6.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2.5V, 3V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 2.75V ~ 30V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 8V ~ 12.6V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 15V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 15V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4V ~ 15V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 13.2V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 13.2V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 3.5V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 9V ~ 14V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2.3V, -,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 35V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 1V, 3.65V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Single, Número de conductores: 1, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 35V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Synchronous, Número de conductores: 4, Tipo de puerta: N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10.5V ~ 13.5V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 2V, 4V; 3V, 6V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 10V ~ 20V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canal: Independent, Número de conductores: 2, Tipo de puerta: IGBT, N-Channel MOSFET, Suministro de voltaje: 5V ~ 18V, Voltaje lógico - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
