Transistores - FET, MOSFET - Matrices

CWDM305ND TR13

parte del stock: 155758

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

CMLDM7003G TR

parte del stock: 145265

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

CMLDM7002AG TR

parte del stock: 187169

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2G

parte del stock: 192373

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMC8097AC

parte del stock: 84069

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

NTHD4508NT1G

parte del stock: 175416

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDC6401N

parte del stock: 146944

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW389-TL-2W

parte del stock: 183608

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 2A, 10V,

FDS6986AS_SN00192

parte del stock: 3010

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, 7.9A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

FDC6420C

parte del stock: 172122

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMN601VK-7

parte del stock: 199583

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 305mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC2041UFDB-13

parte del stock: 176346

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMN5L06DMKQ-7

parte del stock: 127512

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 305mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMTH4007SPDQ-13

parte del stock: 125165

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

DMC25D0UVT-13

parte del stock: 177257

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 400mA, 3.2A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

TSM680P06DPQ56 RLG

parte del stock: 16540

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

TSM4936DCS RLG

parte del stock: 10837

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.9A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FMM65-015P

parte del stock: 2720

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 65A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

LKK47-06C5

parte del stock: 2067

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Super Junction, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 47A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

GWM120-0075P3-SMD SAM

parte del stock: 2286

Tipo de FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 118A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

MCQ4559-TP

parte del stock: 163911

Tipo de FET: N and P-Channel, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SM6K2T110

parte del stock: 120997

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TPS1120D

parte del stock: 27273

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 15V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.17A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

CSD87384M

parte del stock: 105031

Tipo de FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

CSD83325LT

parte del stock: 151301

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

CSD87355Q5D

parte del stock: 70450

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

SQ3987EV-T1_GE3

parte del stock: 16233

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI5915DC-T1-E3

parte del stock: 2988

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 8V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI3585DV-T1-GE3

parte del stock: 3014

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A, 1.5A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

SI7956DP-T1-E3

parte del stock: 43929

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 150V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

SI3552DV-T1-GE3

parte del stock: 189573

Tipo de FET: N and P-Channel, Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SQJ956EP-T1_GE3

parte del stock: 9990

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

STL15DN4F5

parte del stock: 56764

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 60A, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

SSM6N42FE(TE85L,F)

parte del stock: 2976

Tipo de FET: 2 N-Channel (Dual), Característica FET: Logic Level Gate, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 800mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

PMDXB950UPELZ

parte del stock: 106171

Tipo de FET: 2 P-Channel (Dual), Característica FET: Standard, Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

UPA1764G(0)-E1-AZ

parte del stock: 3007