Tamaño de la memoria: 9K (1K x 9), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 22.2MHz, Tiempo de acceso: 35ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 80mA,
Tamaño de la memoria: 5M (128K x 40), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 4.5ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 60mA,
Tamaño de la memoria: 36K (512 x 72), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 6.5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 75mA,
Tamaño de la memoria: 2.5M (64K x 40), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 4.5ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 60mA,
Tamaño de la memoria: 4.5K (512 x 9), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 33.3MHz, Tiempo de acceso: 20ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 80mA,
Tamaño de la memoria: 1.125M (16K x 36 x 2), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 6.5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 400mA,
Tamaño de la memoria: 1.25M (32K x 40), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 250MHz, Tiempo de acceso: 3.2ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 60mA,
Tamaño de la memoria: 576K (8K x 72), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 75mA,
Tamaño de la memoria: 72K (2K x 36), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, Tiempo de acceso: 8ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 400mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (64K x 36 x 2), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 6.5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 400mA,
Tamaño de la memoria: 288K (4K x 72), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 6.5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 75mA,
Tamaño de la memoria: 4.5K (64 x 36 x 2), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 1mA,
Tamaño de la memoria: 4.5K (256 x 18), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 25MHz, Tiempo de acceso: 20ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 400µA,
Tamaño de la memoria: 18K (1K x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 50MHz, Tiempo de acceso: 12ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 9K (512 x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 40MHz, Tiempo de acceso: 15ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 40µA,
Tamaño de la memoria: 80 (16 x 5), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 40MHz, Tiempo de acceso: 30ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 140mA,
Tamaño de la memoria: 9K (512 x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 25MHz, Tiempo de acceso: 20ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 40µA,
Tamaño de la memoria: 1.125K (64 x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 40MHz, Tiempo de acceso: 15ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 400µA,
Tamaño de la memoria: 4.5K (256 x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 40MHz, Tiempo de acceso: 15ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 400µA,
Tamaño de la memoria: 1.125K (64 x 18), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 25MHz, Tiempo de acceso: 20ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 40µA,
Tamaño de la memoria: 288K (8K x 36), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 133.3MHz, Tiempo de acceso: 5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 40mA,
Tamaño de la memoria: 36K (2K x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 4.5K (64 x 36 x 2), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 4.5K (64 x 36 x 2), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 288K (16K x 18)(32K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 6.5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 1.125K (64 x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 25MHz, Tiempo de acceso: 20ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 400µA,
Tamaño de la memoria: 18K (2K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 11ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 20mA,
Tamaño de la memoria: 72K (4K x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 8ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 50mA,
Tamaño de la memoria: 9K (1K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 2.25K (256 x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 72K (8K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 8ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 36K (4K x 9), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 50MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 85mA,
Tamaño de la memoria: 1.125M (128K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 8ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 40mA,
