Tamaño de la memoria: 9M (256K x 36), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 90mA,
Tamaño de la memoria: 9M (512K x 18)(1M x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (64K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 9M (512K x 18)(1M x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 66MHz, 150MHz, Tiempo de acceso: 12ns, 3.8ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 9M (256K x 36), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 66MHz, 150MHz, Tiempo de acceso: 12ns, 3.8ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 90mA,
Tamaño de la memoria: 2.25M (32K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 9M (128K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 50MHz, 100MHz, Tiempo de acceso: 14ns, 4.5ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 72K (8K x 9), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 25MHz, Tiempo de acceso: 30ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 150mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, 225MHz, Tiempo de acceso: 8ns, 3.4ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (128K x 36), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, 225MHz, Tiempo de acceso: 8ns, 3.4ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 90mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (128K x 36), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 90mA,
Tamaño de la memoria: 72K (8K x 9), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 33.3MHz, Tiempo de acceso: 20ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 150mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (64K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 66MHz, 150MHz, Tiempo de acceso: 12ns, 3.8ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 4.7M (131K x 36), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 133.3MHz, Tiempo de acceso: 5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 40mA,
Tamaño de la memoria: 4.7M (131K x 36), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 166MHz, Tiempo de acceso: 4ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 40mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 166MHz, Tiempo de acceso: 4ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 133.3MHz, Tiempo de acceso: 5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 4.7M (131K x 36), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 166MHz, Tiempo de acceso: 4ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 40mA,
Tamaño de la memoria: 144K (16K x 9), Función: Asynchronous, Velocidad de datos: 25MHz, Tiempo de acceso: 30ns, Suministro de voltaje: 4.5V ~ 5.5V, Corriente - Suministro (máx.): 150mA,
Tamaño de la memoria: 2.25M (32K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 66MHz, 150MHz, Tiempo de acceso: 12ns, 3.8ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (64K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 50MHz, 100MHz, Tiempo de acceso: 14ns, 4.5ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 9M (256K x 36), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 50MHz, 100MHz, Tiempo de acceso: 14ns, 4.5ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 90mA,
Tamaño de la memoria: 9M (512K x 18)(1M x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 50MHz, 100MHz, Tiempo de acceso: 14ns, 4.5ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (128K x 36), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 90mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 83MHz, 200MHz, Tiempo de acceso: 10ns, 3.6ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 133.3MHz, Tiempo de acceso: 5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
Tamaño de la memoria: 1.125M (16K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, 225MHz, Tiempo de acceso: 8ns, 3.4ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 1.125M (16K x 72), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, 225MHz, Tiempo de acceso: 8ns, 3.4ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 130mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 100MHz, Tiempo de acceso: 6.5ns, Suministro de voltaje: 3V ~ 3.6V, Corriente - Suministro (máx.): 60mA,
Tamaño de la memoria: 4.7M (131K x 36), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 40mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (512K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 66.7MHz, Tiempo de acceso: 10ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 55mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 133.3MHz, Tiempo de acceso: 5ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 30mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Asynchronous, Synchronous, Velocidad de datos: 66MHz, 150MHz, Tiempo de acceso: 12ns, 3.8ns, Suministro de voltaje: 2.375V ~ 2.625V, Corriente - Suministro (máx.): 70mA,
Tamaño de la memoria: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), Función: Synchronous, Velocidad de datos: 166MHz, Tiempo de acceso: 4ns, Suministro de voltaje: 3.15V ~ 3.45V, Corriente - Suministro (máx.): 35mA,
