Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

BSP373 E6327

parte del stock: 119

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP324 E6327

parte del stock: 172

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP372 E6327

parte del stock: 155

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP320S E6433

parte del stock: 110

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP320S E6327

parte del stock: 88

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP300L6327HUSA1

parte del stock: 138

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 190mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP318S E6327

parte del stock: 158

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP300 E6327

parte del stock: 95

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 190mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP299 E6327

parte del stock: 166

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 400mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP298 E6327

parte del stock: 6031

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP298L6327HUSA1

parte del stock: 5657

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 400V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP296 E6433

parte del stock: 127

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP297 E6327

parte del stock: 144

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 660mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP149 E6906

parte del stock: 78

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 660mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP149L6906HTSA1

parte del stock: 6023

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 660mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP149 E6327

parte del stock: 156

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 660mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP135L6906HTSA1

parte del stock: 6085

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP135L6327HTSA1

parte del stock: 106

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP135 E6906

parte del stock: 6091

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP135 E6327

parte del stock: 155

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP129L6906HTSA1

parte del stock: 84

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP129L6327HTSA1

parte del stock: 124

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 0V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP125L6327HTSA1

parte del stock: 78

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP125 E6433

parte del stock: 112

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSO613SPV

parte del stock: 84

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 3.44A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.44A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSP125 E6327

parte del stock: 165

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSO200P03SNTMA1

parte del stock: 88

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSO130P03SNTMA1

parte del stock: 98

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.3A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSO104N03S

parte del stock: 120

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 13A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSC106N025S G

parte del stock: 139

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 30A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 30A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSO064N03S

parte del stock: 78

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSC085N025S G

parte del stock: 101

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 35A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSC072N025S G

parte del stock: 86

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 40A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSC052N03S G

parte del stock: 69

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 80A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSC032N03S

parte del stock: 141

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Ta), 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Para su lista

Infineon Technologies

BSC037N025S G

parte del stock: 115

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Para su lista