Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 100

APT20M45BVFRG

parte del stock: 6139

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 56A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

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Microsemi Corporation

APT20M38SVRG

parte del stock: 4425

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 67A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 500mA, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APT11F80B

parte del stock: 12361

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 800V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT10078BLLG

parte del stock: 3086

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 7A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT34F60B

parte del stock: 4766

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT1201R4BFLLG

parte del stock: 3577

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM10DAM02G

parte del stock: 663

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 495A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100UM60FAG

parte del stock: 463

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 129A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 64.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT58M50JCU2

parte del stock: 2464

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 58A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120UM70DAG

parte del stock: 295

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 171A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM50SKM17G

parte del stock: 618

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM10SKM05TG

parte del stock: 1206

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 278A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100UM45FAG

parte del stock: 257

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 215A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 107.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT50N60JCCU2

parte del stock: 2413

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT58M50JU3

parte del stock: 3052

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 58A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT40N60JCU3

parte del stock: 3509

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM100DA33T1G

parte del stock: 2515

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1000V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 18A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120U10SAG

parte del stock: 452

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 116A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM120DA30T1G

parte del stock: 1928

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 31A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT10M11JVRU2

parte del stock: 2763

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 142A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 71A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTC60SKM24CT1G

parte del stock: 1337

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM50DAM17G

parte del stock: 699

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 180A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM10SKM02G

parte del stock: 659

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 495A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20UM04SAG

parte del stock: 585

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 417A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 208.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT5010JLLU3

parte del stock: 2290

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 41A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM50UM13SAG

parte del stock: 475

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 335A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 167.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20SKM08TG

parte del stock: 1154

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 208A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20DAM05G

parte del stock: 720

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 317A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APTM20DAM08TG

parte del stock: 1126

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 208A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT100MC120JCU2

parte del stock: 372

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 143A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 20V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V,

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Microsemi Corporation

APTM120UM70FAG

parte del stock: 339

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 171A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 85.5A, 10V,

Para su lista

Microsemi Corporation

APT58M50JU2

parte del stock: 2017

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 58A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM20DAM04G

parte del stock: 666

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 372A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTC60SKM24T1G

parte del stock: 1266

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTM50SKM19G

parte del stock: 703

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 163A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APTC60DAM18CTG

parte del stock: 837

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 143A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V,

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