Transistores - FET, MOSFET - Sencillo | Productos semiconductores discretos | 21

TPC8092,LQ(S

parte del stock: 100135

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J36FS,LF

parte del stock: 126552

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 330mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CT,L3F

parte del stock: 5771

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.2V, 4V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT,L3F

parte del stock: 154142

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8129,LQ(S

parte del stock: 141142

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT,L3F

parte del stock: 107046

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.2V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R003NL,LQ

parte del stock: 195389

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 27A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K324R,LF

parte del stock: 151670

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6H19NU,LF

parte del stock: 184800

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.8V, 8V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6111(TE85L,F,M)

parte del stock: 154704

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN8R903NL,LQ

parte del stock: 183096

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K2615TU,LF

parte del stock: 7271

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 3.3V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15CT(TPL3)

parte del stock: 112077

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 2.5V, 4V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN14006NH,L1Q

parte del stock: 180682

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J207FE,LF

parte del stock: 104477

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 251 mOhm @ 650mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56MFV,L3F

parte del stock: 128522

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 800mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

parte del stock: 147480

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 6.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1600ANH,L1Q

parte del stock: 143024

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K345R,LF

parte del stock: 112097

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 1.5V, 4.5V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J117TU,LF

parte del stock: 180597

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 1A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R203NC,L1Q

parte del stock: 167458

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V,

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