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Transistores - FET, MOSFET - Sencillo

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1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

parte del stock: 100908

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

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1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

parte del stock: 117115

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 270mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

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2N7000-D75Z
ON Semiconductor

2N7000-D75Z

parte del stock: 99

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4094-1E
ON Semiconductor

2SK4094-1E

parte del stock: 20693

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1E
ON Semiconductor

2SJ661-1E

parte del stock: 57846

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK3746-1E
ON Semiconductor

2SK3746-1E

parte del stock: 15517

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3703-1E
ON Semiconductor

2SK3703-1E

parte del stock: 40945

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

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2SJ652-1E
ON Semiconductor

2SJ652-1E

parte del stock: 33065

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

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2SK3745LS-1E
ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

parte del stock: 18892

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3747-1E
ON Semiconductor

2SK3747-1E

parte del stock: 15610

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4177-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

parte del stock: 30646

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

parte del stock: 57287

Tipo de FET: P-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2N7000BU_T
ON Semiconductor

2N7000BU_T

parte del stock: 2253

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

parte del stock: 2250

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

parte del stock: 2210

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-1EX

parte del stock: 2203

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V,

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2SJ652-1EX
ON Semiconductor

2SJ652-1EX

parte del stock: 2120

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V,

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2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

parte del stock: 2164

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V,

De deseos
2SK3703-1EX
ON Semiconductor

2SK3703-1EX

parte del stock: 2124

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V,

De deseos
2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

parte del stock: 2140

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V,

De deseos
2SK4125-1EX
ON Semiconductor

2SK4125-1EX

parte del stock: 2103

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4098FS
ON Semiconductor

2SK4098FS

parte del stock: 2085

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

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2SK4125-1E
ON Semiconductor

2SK4125-1E

parte del stock: 6248

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

De deseos
2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

parte del stock: 198740

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V,

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2SK4099LS-1E
ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

parte del stock: 1876

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4124-1E
ON Semiconductor

2SK4124-1E

parte del stock: 6267

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4087LS-1E
ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

parte del stock: 1869

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4088LS-1E
ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

parte del stock: 1874

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

De deseos
2SK4066-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

parte del stock: 1810

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4085LS-1E
ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

parte del stock: 1812

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

De deseos
2SK4066-1E
ON Semiconductor

2SK4066-1E

parte del stock: 1849

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

De deseos
2SK3820-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

parte del stock: 1839

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

De deseos
2SK4065-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

parte del stock: 1813

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 75V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

De deseos
2SK3748-1E
ON Semiconductor

2SK3748-1E

parte del stock: 10717

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1500V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

De deseos
2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

parte del stock: 1843

Tipo de FET: N-Channel, Tecnología: MOSFET (Metal Oxide), Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4V, 10V, Rds activado (máx.) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

De deseos
2N7002WST1G
ON Semiconductor

2N7002WST1G

parte del stock: 1836

Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido): 4.5V, 10V,

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